|
RF-effekttransistorer i Si konkurrerar med GaN |
Forskare vid Uppsala universitet har utvecklat en typ av LDMOS-transistor som skall kunna användas i switchade slutsteg, t ex klass E och F, på frekvenser där idag bara HEMT-transistorer i galliumnitrid fungerar. Tillverkningen i en kiselprocess blir dock avsevärt billigare. Nyckeln till tekniken är LDMOS i SOI-teknik och ett hybridsubstrat.
Lars Vestling granskar en lyckad produktion hos VTT av LDMOS på kiselkarbidsubstrat som tillverkats av Silex. |
|
Läs mer...
|
|
Kiselkarbid ger en framtid för kraftelektroniken |
|
Vårens "Workshop on silicon carbide power electronics for automotive and traction applications", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete, visade den potential som SiC-komponenter i sig har i effekttillämpningar |
|
Läs mer...
|
|
SiC står inför sitt genombrott |
Kiselkarbid, SiC, står nu, efter många års forskning, inför sitt genombrott. Det framkom i en "workshop", arrangerad av Transic, Acreo och KTH i samarbete TAM, då en rad potentiella användare kom till tals.
 Bo Hammarlund, Transic och prof Mietek Bakowski, Acreo och prof Hans-Peter Nee, KTH arrangerade seminariet. |
|
Läs mer...
|