TSMC högvolymtillverkar åt GaN Systems

TSMC, Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation, har tiofaldigat högvolymproduktion av produkter som bygger på GaN Systems egenutvecklade ”Island”-teknik.

Det kanadensiska  företaget GaN Systems har idag en omfattande portfölj av effekttransistorer i galliumnitrid. Idag skeppas GaN FET för både 100 V och 650 V GaN. Kapseltypen  GaNPX anges kunna hantera hög ström, den ger extremt låg induktans och har exceptionellt god värmavledning.
Dagens tillämpningar sträcker sig från platt-TV till att ge utökad räckvidd för elfordon.
Girvan Patterson, vd för GaN Systems ger fler exempel: Smarta mobiler, tunna  platt-TV-apparater, spelkonsoler, fordonssystem och andra massvolymprodukter.
– GaN-tekniken har utvecklats för att bli ett förstahandsval för effekttransistorer.  Med vår patenterade ”Island”-technology möjliggör vi kraftlösningar i galliumnitrid vars prestanda vida överstiger dem med kisel. Efter tre års arbete tillsammans med TSMC är vi nu glada att formellt kunna tillkännage detta.
Nu levereras GaN-transistorer i  chipscale-kapslar. Utvecklingen inleddes 2008. Företaget grundades med visionen att skapa lågkostnads, mycket tillförlitliga transistorer av GaN-på-kisel. Metoden ”Island Technology” skapar små öar där strömtätheten mildras, där storleken minimeras och där komponenter för mycket höga strömmar kan åstadkommas,  med hög avkastning.
Tekniken innebär transistor som normalt inte leder (”normally off”) . De lanserades under mitten av 2014.

 

Comments are closed.