Annons

Nya MOSFET:ar från TI

Texas Instruments (TI) lanserar nu 11 nya N-kanals effekt-MOSFET:ar i sin NexFET produktlinje, inklusive 25-V CSD16570Q5B och 30-V CSD17570Q5B för hot swap och ORing-applikationer, som uppges ha branschens lägsta resistens (Rdson) i en QFN-kapsel.

Texas Instruments (TI) lanserar nu 11 nya N-kanals effekt-MOSFET:ar i sin NexFET produktlinje, inklusive 25-V CSD16570Q5B och 30-V CSD17570Q5B för hot swap och ORing-applikationer som uppges ha branschens lägsta resistens (Rdson) i en QFN-kapsel.

Dessutom ska TI:s nya 12-V FemtoFET CSD13383F4 för batteridrivna tillämpningar uppnå den lägsta resistansen på 84 procent under de konkurrerande kretsarna i en liten 0,6 mm med 1 mm kapsel.
CSD16570Q5B och CSD17570Q5B NexFET MOSFETs uppges levererar högre effektivitet vid kraftomvandling vid högre strömmar och ger samtidigt säker drift i datorserver- och telekomapplikationer. Till exempel stödjer 25-V CSD16570Q5B maximalt 0,59 milliohm av Rdson, medan 30-V CSD17570Q5B uppnår maximalt 0,69 milliohm av Rdson.

Comments are closed.