Annons

Mini-FET tar 40 procent mindre plats

Tre nya småsignal-MOSFETar från Diodes Incorporated kräver bara 0,6×0,6 mm kortarea. Transistorerna är kapslade i DFN0606-kapsel och finns i både P- och N-version upp till 30 V.

 

De minimala komponenterna är framtagna för storlekskritiska konstruktioner, som mobiltelefoner och sensorer. Komponenterna har konstruerats för att ha minimal resistans vid tillslag och tröskelspänning under 1 V. De passar därför bra i batterimatade tillämningar med bara en battericell. Komponenterna klarar 300 mW effektförlust.

Comments are closed.