Renesas Electronics meddelar att de har utvecklat en RAA20770X-serie mini-POL-omvandlare för ASICs och andra storskaliga logikkretsar för en mängd olika tillämpningsområden, inklusive persondatorer, servrar, industri, kontors- och nätverksutrustning.

RAA20770X-serien integrerade kretsar uppges uppnå branschens högsta miniatyrisering och effekttäthet. Renesas släpper sex nya produkter med olika strömförsörjningsmöjligheter och funktionalitet. Nyligen har det skett två förändringar på marknaden för spänningsaggregat. Den första är förändringen av kravet på minskad energiförbrukning och den andra är den ökande mångfalden i matningsspänningar som krävs av allt mer funktionella halvledarprodukter som mikrostyrkretsar (MCU:er) och SoC-enheter.

För att uppfylla det första kravet uppges den nya RAA20770X-familjen utföra en högeffektiv omvandling under normal belastning, typiskt under 90 procent av tiden och även utföra de täta övergångarna mellan två lågenergilägen snabbt. Resultatet utlovas bli en minskning av den totala konsumtionen av systemets kraft och hjälp till att möjliggöra ett energieffektivare samhälle.

För att uppfylla det andra kravet, och även om monteringsområdet breder ut sig då den elektriska källa ökar, uppges RAA20770X-kretsarna uppnå en storleksminskning med cirka 75 procent jämfört med tidigare Renesas-produkter, med en miniatyr wafernivå-kapslad chipstorlek som är i stort sett är i samma storlek som själva chipet.

Till exempel uppges RAA207701GBM har en maximal märkström på 10 A och är förpackad i en extremt liten kapsel på 2,7 x 3,4 mm, motsvarande en ungefär 75 procent minskning i kapselstorlek jämfört med tidigare Renesas SIP POL-produkter. Den termiska resistansen från kapselns yta till chipets förbindningsområde är låga 1 °C/W som tillåter en hög värmeavledningskonstruktion när den används med en värmesink och luftflöde.
 
Nästa generation av bärbara datorer kommer att kräva liknande funktioner för informationsuppdateringen och i standby-läge (Connected standby) i dagens pekdatorer och mobiltelefoner. Det kommer att bli nödvändigt att begränsa energiförbrukningen så mycket som möjligt i anslutet standbyläge. För att tillgodose detta behov kommer RAA20770X-serien antar en konstant i tidsstyrmetod och i låga strömförbruikningslägen då strömförbrukning är låg uppnå en låg energiförbrukning på cirka 0,5 pW. En annan fördel med denna ständiga i tidsstyrningsmetod uppges vara att POL-omvandlarens energiförbrukning kan minskas genom att sänka arbetsfrekvensen för att uppnå en minskad energiförbrukning på 1,6 mW när det inte finns någon belastning och 0,5 pW i standby-läge.

RAA20770X-serien uppges också integrera olika skyddsfunktioner, såsom för överström, överspänning och värmeskydd som krävs av POL-omvandlare på ett och samma chip De nya RAA207703GBM, RAA207704GBM och RAA207705GBM-kretsarna inkluderar en integrerad 5 V ”dropout”-regulator (LDO) krets som försörjer den erforderliga 5V interna strömförsörjningsstyrkretsen, vilket i sin tur eliminerar behovet av en extern strömkälla. Detta Aktiverar ett system för att arbeta från bara en enda spänning, till exempel en 12 V strömförsörjning.

Förutom att kombinera kontrollenheten för strömförsörjningen och driv-ICn har RAA20770X-serien integrerats på ett enda chip. Två effekt-MOSFET:ar uppges vara optimala för POL-omvandlare och stegar ner en inspänningen på 5 V eller 12 V till 1 V eller 3,3 V och kan användas av stora integrerade kretsar såsom ASICs. Till exempel har RAA207701GBM-kretsen en maximal märkström på 10 A och en 12 V-ingång och en 3,3 V utgång och kan uppnå en omvandling med en 89 procentig verkningsgrad vid 10 mA, en 95 procents verkningsgrad vid 4 A och en 92 procentig verkningsgrad vid 10 A, enligt ett pressmeddelande.

Filed under: Utländsk Teknik