Forskningsinstitutet Imec och Besi, som levererar tillverkningsutrustning för halvledarindustrin, tänker med förenade krafter utveckla en termoelektriskt baserad bondningsmetod  för att framställa tredimensionella IC.

Att stacka kiselbrickor (die) är en metod för att öka densiteten i halvledarkretsar.
En av stötestenarna är att utveckla tillverkningsmetoder med hög genomströmning och med hög precision  i ett processflöde med tät delning (”narrow pitch”) där man utför bondning mellan ”die-to-die” eller ”die-to-wafer”.
Idag tillämpas kombinationen flip-chip och omsmältningslödning för förbindningarna. Men detta kräver stora förbindningsytor på 50-150 µm delningsavstånd. Man skulle vilja komma ned till 40-10 µm. Detta kräver dock en noggrannhet av 1-2 µ vid 3 sigma. För industriell produktion behövs det också en industriell process.
Termoelektrisk bondning är en metod som kan ge denna höga noggrannhet på små ”bump”-avstånd.  Tyvärr medför även detta långa cykeltider på grund av temperatur- och pressprofiler vilket hittills har lagt ett hinder för industriell produktion.
Imec och Besi kommer att arbeta tillsammans för att utveckla termokompression för bondning i ett automatiserat processflöde med hög genomströmning.  Avsikten är att uppnå hög noggrannhet och korta cykeltider för att kunna använda processen för 3D, 2,5D och teknologier som är en hybrid av 2,5D och 3D.

Filed under: Utländsk Teknik