Annons

Världens första integrerade Doherty-förstärkare

NXP är först ut med att lansera en integrerad Doherty-förstärkare. Den finns i två versioner: för TD-SCDMA och för WCDMA. Många tillverkare av förstärkare för basstationer har valt att övergå från linjära RF-förstärkare i klass AB till att i stället bygga efter Doherty-principen för att kunna höja verkningsgraden. Principen presenterades 1936 av William H Doherty på Institute of Radio Engineers konvent.
I grunden använder man två förstärkare där den ena är linjär (klass A eller AB), och i huvudsak hanterar lägre effekter och den andra är olinjär (t ex klass B eller C) och tar hand om toppeffekten. Förstärkarna är parallellkopplade på så sätt att den ena förstärkaren har en 90° fördröjningsledning på ingången, och den andra förstärkaren har en 90° fördröjningsledning på utgången. Fördröjningsledningar ger den impedanstransformation som är nödvändig för sammankopplingen av de båda signalvägarna.
När huvudförstärkaren går in i mättnad, levererar extraförstärkaren ström. Huvudförstärkaren ser då en lägre impedans hos lasten och kan leverera mer ström medan den är mättad. Eftersom huvudförstärkaren går in i mättnad vid en ineffekt som ligger 6 dB under maximal ineffekt kommer systemet att ge högre verkningsgrad vid lägre effekt än vad vanliga, enkla steg ger.
Hittills har Doherty-förstärkare varit uppbyggda av diskreta komponenter. NXP har nu lyckats integrera såväl dessa förstärkare som fördröjningsledningar och combiners i en krets. Den finns nu i två versioner: BLD6G21-50, för TD-SCDMA och BLD6G22-50 för WCDMA. De ger 50 W toppeffekt och 10 W medeleffekt.
Vid 10 W har förstärkarna 40 procents verkningsgrad. Det betyder 35 procents lägre effektförluster vid multi-bärvågs-signaler, jämfört med ett steg i klass AB.
De nya förstärkarna kan direkt kopplas in, likt en RF-effekttransistor, vilket spar tid för konstruktörerna. Totallösningen blir mindre än för diskreta lösningar.
Mark Murphy, marknadschef för RF-effektprodukter från NXP räknar med att totaltpriset skall ligga 20-30 procent under en diskret lösning. Ingen trimning av delaylines är nödvändig. Dessutom är de termiska egenskaperna i den integrerade lösningen bättre än vid diskret uppbyggnad.
BLD6G22-50 och BLD6G21-50 har börjat levereras till kunder. De är tillverkade i NXPs sjätte generation CMOS-process, GEN6, och förstärkarna är kapslade i keramik med fyra anslutningsben. Två av dem är avsedda för yttre förspänning.

Comments are closed.