Annons

Snabbt och snålt eDRAM

IBM har lyckats utveckla en prototyp av vad som sägs vara halvledarindustrins snabbaste, minsta och mest tätpackade, integrerade dynamiska minneskrets i 32 nanometer, silicon-on-isolator (SOI) teknik.
IBM:s SOI-teknologi kan ge upp till en 30-procentig förbättring av chip-prestanda och en minskad effektförbrukning på 40 procent jämfört med standard bulkkiselteknik. SOI skyddar transistorerna på chipet med ett isoleringsskikt som minskar elektriskt läckage, sparar effekt och tillåter att ström flyter genom kretsen mer effektivt, vilket höjer prestanda.

IBM har tagit fram ett testchip med ett på chipet inbyggt dynamic random access memory (eDRAM)-teknik som hävdas ha industrins minsta minnescell som kan packas tätare, är snabbare och har högre kapacitet än konventionella på chip integrerade SRAM i 32 nm och 22 nm teknik. IBM:s chip är kompatibelt med vad som kan förväntas av ett SRAM producerat i 14 nm teknik – alltså tre teknikgenerationer framåt i tiden jämfört med de chip som finns i volymproduktion idag.

IBM:s eDRAM-cell uppges vara dubbelt så tätt packad som någon annan presenterad 22 nm inbyggd SRAM-cell – inklusive IBM:s egen 22 nm minnescell som presenterades av IBM i augusti 2008 – och upp till fyra gånger tätare packad än någon annan jämförbar 32 nm inbyggt SRAM inom industrin.
IBM:s eDRAM i 32 nm SOI-teknik uppges vara det snabbaste inbyggda minnet till dags dato och uppnår fördröjning och cykeltider mindre än 2 nanosekunder. Dessutom förbrukas bara en fjärdedel så mycket effekt i vila, ha upp till tusen gånger lägre antal mjukvarufel (fel uppkommna av elektriska laddningar), bättre effektbesparingar och högre tillförlitlighet jämfört med liknande SRAM. Inbyggda minnen är en nyckel för bättre prestanda i processorer med multipla kärnor och andra integrerade kretsar och kan få stor påverkan inom många områden. Till exempel kan tekniken komma att förbättra prestanda och effektförbrukning i högpresterande servrar, skrivare, för lagring och i närverksapplikationer. I mobil-, konsument- och speltillämpningar kan det erbjuda en mindre formfaktor, lägre kostnader och energibesparingar.

IBM avser ta tillvara fördelarna med sin nya 32 nm teknik och erbjuda den till kunder inom applikationsspecifika ICs (ASIC) och kiselsmedjor samt kommer att använda tekniken i chipen för sina servrar.
IBM är redan engagerad tillsammans med smedjor med tidig access inom 32 nm tekniken och ARM utvecklar designbibliotek för teknologin. Ett första 32 nm ARM-bibliotek finns tillgängligt nu och IBM har utökat samarbetet till att även inkludera 22 nm SOI-teknologin. Det representerar av de båda företagens beslutsamhet att samordna sina processteknologier, designregler, designbibliotek och kärnor för nästa generation SOI-teknologi.

Comments are closed.