Annons

Skalbara HBT i GaAs och CMOS i GaN på Si för mm-vågor

Imec har demonstrerat komponenter av GaAs-baserade heterojunction bipolar transistor (HBT) på 300 mm Si och CMOS-kompatibla GaN- baserade enheter på 200 mm Si för mm-våg-applikationer. Resultaten hur både III-V-på-Si och GaN-på-Si som CMOS-kompatibel teknik kan möjliggöra RF-frontmoduler för millimetervågor.  

Integration av singelfotonemittrar i 2D med SiN-fotonchip

Forskare från Photonics Research Group, en imec-forskargrupp vid Ghent-universitetet och MIT, meddelar att de har integrerat en-fotongivare i 2D-material med ett fotonchip i kiselnitirid, SiN.

Halvbrygga och drivare i GaN

Imec har utvecklat en halvbrygga med drivkretsar som integrerats monolitiskt i galliumnitrid, GaN.

Supersnål radar detekterar hjärtslag på 15 m avstånd

Imec presenterar på halvledarkonferensen ISSCC2019 en speciell radartransceiver som  på upp till 15 m avstånd följa mycket små rörelser som exempelvis en människas andning eller hjärtslag. Detta är ett rekordstort avstånd!

Lås bilen säkert med Bluetooth LE och ny algoritm

Imec demonstrerade på Electronica säker nyckellös tillgång (”keyless entry”) till bilar genom en lösning som bygger på Bluetooth low energy, BLE.

27,1 procents verkningsgrad i solcell

Forskningsinstitutet Imec har, inom ramen för partnerskapet EnergyVille, nått rekordhög verkningsgrad för en kiselcell som tandemkopplats med en perovskitcell.

Korta laserpulser ger lågresistiv source/drain-kontakt

På årets Electron Devices Meeting (IEDM) rapporterar forskningsorganisationen Imec ultralåg kontaktrestans mot source/drain. Höggradigt Ga-dopade Ge-rika source/ drainkontakter har visat sig vara en lovande väg att gå för att undertrycka parasitiskresistanser i source/drain hos avancerad pMOS.