Posted on januari 13th, 2020 by Gunnar Lilliesköld
Imec har demonstrerat komponenter av GaAs-baserade heterojunction bipolar transistor (HBT) på 300 mm Si och CMOS-kompatibla GaN- baserade enheter på 200 mm Si för mm-våg-applikationer. Resultaten hur både III-V-på-Si och GaN-på-Si som CMOS-kompatibel teknik kan möjliggöra RF-frontmoduler för millimetervågor.
Filed under: Halvledarteknik, Utländsk Teknik | Kommentarer inaktiverade för Skalbara HBT i GaAs och CMOS i GaN på Si för mm-vågor
Posted on november 4th, 2019 by Gunnar Lilliesköld
Forskare från Photonics Research Group, en imec-forskargrupp vid Ghent-universitetet och MIT, meddelar att de har integrerat en-fotongivare i 2D-material med ett fotonchip i kiselnitirid, SiN.
Filed under: Utländsk Teknik | Kommentarer inaktiverade för Integration av singelfotonemittrar i 2D med SiN-fotonchip
Posted on maj 7th, 2019 by Gunnar Lilliesköld
Imec har utvecklat en halvbrygga med drivkretsar som integrerats monolitiskt i galliumnitrid, GaN.
Filed under: Utländsk Teknik | Kommentarer inaktiverade för Halvbrygga och drivare i GaN
Posted on februari 19th, 2019 by Gunnar Lilliesköld
Imec presenterar på halvledarkonferensen ISSCC2019 en speciell radartransceiver som på upp till 15 m avstånd följa mycket små rörelser som exempelvis en människas andning eller hjärtslag. Detta är ett rekordstort avstånd!
Filed under: SvenskTeknik | Kommentarer inaktiverade för Supersnål radar detekterar hjärtslag på 15 m avstånd
Posted on november 15th, 2018 by Gunnar Lilliesköld
Imec demonstrerade på Electronica säker nyckellös tillgång (”keyless entry”) till bilar genom en lösning som bygger på Bluetooth low energy, BLE.
Filed under: Utländsk Teknik | Kommentarer inaktiverade för Lås bilen säkert med Bluetooth LE och ny algoritm
Posted on juli 25th, 2018 by Gunnar Lilliesköld
Forskningsinstitutet Imec har, inom ramen för partnerskapet EnergyVille, nått rekordhög verkningsgrad för en kiselcell som tandemkopplats med en perovskitcell.
Filed under: Utländsk Teknik | Kommentarer inaktiverade för 27,1 procents verkningsgrad i solcell
Posted on december 5th, 2017 by Gunnar Lilliesköld
På årets Electron Devices Meeting (IEDM) rapporterar forskningsorganisationen Imec ultralåg kontaktrestans mot source/drain. Höggradigt Ga-dopade Ge-rika source/ drainkontakter har visat sig vara en lovande väg att gå för att undertrycka parasitiskresistanser i source/drain hos avancerad pMOS.
Filed under: Utländsk Teknik | Kommentarer inaktiverade för Korta laserpulser ger lågresistiv source/drain-kontakt
