Annons

Superkompakt minnescell

Taiwan National Nano Devices Laboratorium har utvecklat en SRAM-minnescell i storleken 300×130 nm, framställd i en 16 nm process.

Det statliga forskningsinstitutet ligger i provinsen Hsichu i Taiwan. Nu söker man samarbete med någon av de Taiwanesiska halvledartillverkarna TSMC, UMC och MXIC.
Intel tar denna månad sin 32 nm process i drift och har framme testchip framme i 22 nm tekniknod. Men uppenbarligen har Taiwan för tillfället ett försprång. Steget mellan varje tekniknod innebär ytmässigt en minskning till hälften. Tidsmässigt handlar ett teknikskifte om 18 till 24 månader.

 

Comments are closed.