ST släpper ny IGBT-serie

ST Microelectronics lanserar nu en uppsättning 1200 V IGBT:er som enligt företaget är optimerade för låga kombinerade lednings och turn-off-förluster vid omkopplingsfrekvenser på upp till 8 kHz.

Den nya S-serien kompletterar ST:s M-serie och H-serie 1200 V IGBT:er och bygger på företagets tredje generations teknologi ”trench-gate field-stop” för tillämpningar inom kraftomvandlingen såsom för avbrottsfri kraftförsörjning, solenergigeneratorer, svetsaggregat, industrimotordrift och liknande utrustningar.

ST hävdar att deras nya S-serie IGBT:er för 15 A, 25 A och 40 A  har den lägsta mättnadsspänningen (VCE(sat)) bland alla de 1200 V IGBT:er som finns på marknaden idag, vilket ger lägre spänningsfall och minimerar effektförlusten. De har en 175° C maximal gränsskiktstemperatur och en 10 μs minimum kortslutningstid.

Den nya S-serien IGBT:er kommer i en TO-247-kapsel och priset startar på 2,80 dollar per styck i kvantiteter om 1000.

Comments are closed.