Två preliminära specifikationer som beskriver gränssnittet mot en 3-D DRAM minnesstack har nu släppts av The Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC) till konsortiets medlemmar.

HMCC, som leds av Micron Technology och Samsung Electronics, meddelar att utgivningen av förslagen nu bestämmer konsortiets tidsschema, som pekar på att slutgiltiga versioner av specifikationerna kan släppas i slutet av året.

En av de viktigaste utmaningarna som branschen står inför – och en viktig motivation för bildandet av HMCC – är att den minnesbandbredd som krävs av högpresterande datorer och nästa generations nätverksutrustning har ökat utöver vad konventionella minnesarkitekturer effektivt kan erbjuda.

Den nya hybridminneskuben (HMC) är en helt ny DRAM-arkitektur som innebär en ny standard för minnesprestanda, effektförbrukning och kostnader och som kombinerar höghastighets logikprocessteknik med en stack through-silicon-via (TSV)-bondade minnesbrickor. HMC-arkitekturen uppges ge en dramatisk förbättring av bandbredden och en prestandaförbättring på mer 15 gånger jämfört med en DDR3-modul. HMC-arkitekturen uppges vara exponentiellt mer effektiv än dagens minnen och förbrukar 70 procent mindre energi per bit jämfört med DDR3 DRAM-tekniken. HMC ökar även densiteten per bit och reducerar därmed kostnaderna genom att kunna erbjuda mer minne i varje maskin och 90 procents mindre upptagen yta i jämförelse med dagens RDIMM:s.

De första utkasten består av specifikationer för ett gränssnittsprotokoll och en korthållskanal mellan fysiska lager (PHY:s) avsedda för högpresterande nätverk och industriella tillämpningar samt för test och mätapplikationer. Konsortiets medlemmar kommer i ett nästa steg att förfina specifikationerna och definiera ett PHY för applikationer som kräver tät koppling (ultra short-reach) eller närliggande minnesstöd för FPGA:er, ASIC:s och ASSP:er.

– Med förslaget till standard som nu finns för slutliga synpunkter och modifiering från adoptantmedlemmar är vi glada över att ta ytterligare ett steg mot att möjliggöra så att hybridminneskuber och den senaste generationen av 28 nanometer FPGA:er lätt kan integreras i system med hög prestanda, säger Rob Sturgill, arkitekt på Altera.

Förutom Micron Technology och Samsung ingår företag såsom Altera Corporation, ARM, HP, IBM, Microsoft Corporation, Open-Silicon, SK hynix, Xilinx med flera i konsortiet. Bara konsortiets medlemmar kan ta del och ge synpunkter på de preliminära specifikationerna men konsortiet är fortfarande öppet för nya medlemmar.

Mer information finns på: www.hybridmemorycube.org

Filed under: Utländsk Teknik