Snabb minnesenhet med ny teknik

IBM och Micron Technology kommer att börja tillverka en ny typ av minnesenheter. IBM:s tillverkningsprocess TSV (through-silicon vias) möjliggör att Microns HMC (Hybrid Memory Cube) kan uppnå datatakter som är 15 gånger högre än med nuvarande teknik, använder 70 procent mindre energi vid dataöverföringen och som samtidigt är 90 procent mindre än dagens minnesenheter.

 

IBM uppges komma att presentera sin TSV-teknik på IEEE International Electron Devices Meeting den 5 december i Washington, DC, USA.

Microns HMC -enhet består av en stack med enskilda chip sammankopplade med vertikala vior. IBM: s nya 3-D-tillverkningsteknik används för att ansluta tredimensionella mikrostrukturer och kommer att vara grunden för en kommersiell produktion av en ny minnesenheten.

HMC-prototyper uppges klara av att leverera 128 GB/s. Som jämförelse uppnår dagens ”state-of-the-art”-enheter 12,8 GB/s.

Comments are closed.