Samsung ElectronicCo har utvecklat och validerat sitt första 40nm DRAM-chip och en modul. Den nya 1Gbit -DDR2-komponenten och en 1Gigabyte 800Mbit/s DDR2 SODIM (small outline DRAM inline memory module) är båda framtagna i 40nm. och har certifierats i Intels "platform validation program" för användning i Intels GM45-serie. Samsung planerar att även utveckla ett 2Gb DDR3-chip i sin 40nm-teknologi med planerad start av massproduktion i slutet av 2009.
Enligt Samsung kommer övergången till 40nm-processen minska "time-to-market" med 50 procent och reducera effektförbrukningen med 30 procent jämfört med chip framtagna i 50nm-processen. Produktiviteten förväntas också öka med 60 procent och menar att med sin 40nm processnod markerar det ett betydelsefullt steg mot utvecklingen av nästa generation högprestanda DRAM-kretsar såsom den kommande DDR3.

Filed under: Utländsk Teknik