Samsung Electronics Co., Ltd meddelar att de startat massproduktion av sin nya 4 Gbit DDR3 DRAM-krets som tillverkas i en ny 40 nm-process.

Den nya kretsen är enligt företaget avsedd att användas för att höja minneskapaciteten och kraftigt minska effektförbrukningen i datacentraler, serversystem och notebooks försedda med avacerad grafik.

Kretsen uppges till exempel kunna spara 35 procent av effektförbrukningen för minnesmoduler i servrar med samma minneskapacitet (16GB) men som är tillverkade med gårdagens teknik. Enligt Samsung är effektförbrukningen för en DDR2-modul baserad på 1 Gbit, 60 nm komponenter 210 W medan en 40 nm, 2 Gbit DDR3-baserad modul konsumerar 55 W. Moduler baserade på det nya 40 nm, 4 Gbit DDR3-kretsen har en effektförbrukning på 36 W.

En minnesmodul baserad på kretsar i 40 nm teknik kan ha en lagringskapacitet på 32 Gigabyte, vilket är dubbelt upp jämfört med moduler baserade på den föregående generationen (2 Gbit).

I och med att företaget nu startat sin volymproduktion planerar Samsung att migrera mer än 90 procent av sin DDR DRAM-produktion till sin 40 nm processteknologi.

Filed under: Utländsk Teknik