Annons

Rohm först med trench-SiC

Rohm Semiconductor meddelar att de utvecklat och nu startat massproduktion av en kiselkarbid (SiC) MOSFET som företaget hävdar är branschens första SiC-transistor i en trenchstruktur som minskar Ron med 50 procent.

Rohms nya SiC-MOSFET, med dess speciella trenchstruktur, uppges ha en reducerad Ron med 50 procent Jämfört med vanliga planar-typ SiC MOSFET:ar i samma chipstorlek.

Att använda en trenchstuktur är lockande för att minska resistansen i på-läge men, enligt Rohm, finns det ett behov av att dämpa det elektriska fältet som genereras i trenchgate-delen för garantera en långsiktig tillförlitlighet (se bild). Företaget säger sig nu har mött dessa behov genom sin egen trenchstruktur som minskar on-resistensen med 50 procent och som ger förbättrade switchprestanda tack vare en cirka 35-procentig minskning av ingångskapacitansen, jämfört med SiC MOSFET:ar utformade med planarteknologi.

Rohm har även utvecklat en fullständig SiC kraftmodul som innehåller dessa trench-typ SiC MOSFET:ar i en 2-i-1-krets med inbyggd SiC SBD (Schottky barrier diode). 1200 V/180 A-modulen har samma märkström som Si IGBT-moduler men med en minskad switchförlust på cirka 42 procent jämfört med SiC MOSFET:ar i planar-teknologi. Provexemplar finns tillgängliga idag och produktion startar i juni.

Ytterligare två moduler är på gång: En för 1200 V/95 A och en för 650 V/118 A.

Comments are closed.