Bra tillväxt för RF-kretsar i GaN

Marknaden för RF-komponenter i galliumnitrid kommer att mer än  fördubblas de närmaste fem åren enligt marknadsföretaget Yole Développement. En ny rapport visar en tillväxt på 2,5 gånger fram till 2022, från nästan 300 miljoner dollar 2015. En viktig faktor är introduktionen av 5G.

 

Marknadsrapporten tar upp GaN-teknikens roll i till exempel trådlös infrastruktur, försvars- och rymdteknik, satellitkommunikation, bredband och andra ISM-bandstillämpningar. Sannolikt kommer den stora tillväxten framåt 2019, ledd av implementeringen av 5G.
– Marknaden kommer att ha multiplicerats med en faktor 2,5 i slutet av 2022, säger Dr Hong Lin, teknologi- och marknadsanalytiker vid Yole. Det innebär en genomsnittlig årlig ökning med 14 procent.
Både trådlös infrastruktur och försvarselektronik är viktiga områden för GaN. Trådlös infrastruktur står nu för över halva GaN-marknaden och kommer att fortsätta att öka sin marknadsandel. Detta trots att GaN-tekniken från början togs fram för att stödja försvars- och rymdtekniken.
Orsaken till den ökade GaN-användningen i basstationer och trådlös infrastruktur är att det ökade behovet av bandbredd leder till högre arbetsfrekvenser. Det och en massiv användning av MIMO-teknik ger GaN stora fördelar jämfört med dagens LDMOS-teknik.

Comments are closed.