Annons

140 W GaN RF-transistor

RF Micro Devices har nu en transistor i galliumarsenid som kan ge 140 W uteffekt.

RF3994 kan användas i förstärkare från DC upp till 3 GHz (ej internt impedansmatchad) med en verkningsgrad över 65 procent. Den är hermetiskt kapslad i keramik, med två anslutningar plus fläns mot underliggande kylare.
– RF3994 utgör en viktig milstolpe eftersom den är den transistor som ger högst uteffekt i RFMDs UPT-familj. Den utgör en nyckelkomponent för den familj matchande transistorer som kommer att lanseras senare i år, säger Jeff Shealy, vice president och general manager för RFMDs affärsenhet för försvars- och effektkomponenter, i ett pressmeddelande.
RF3934 är en HEMT konstruerad i RFMDs 48 V 0,5 µm GaN-process för högeffekts RF-halvledare med hög verkningsgrad, låga kapacitanser och låg termisk resistans. Den är tänkt att användas i RF-slutsteg för publika radiosystem (PMR), i infrastrukturen för 3G/4G, för industriella tillämpningar inom de fria banden (ISM), för militärt bruk, civil radar och i kabel-TV-system.
RF3934 finns redan som prover och den massproduceras.

 

Comments are closed.