Annons

Strömsnålt flashminne med SOTB

Renesas har nu anpassat sin SOTB-teknik för flashminnen. Den mycket låga läsenergin (0,22 pJ/bit vid 64 MHz) gör tekniken lämplig för batterilösa applikationer baserade på ”energiskörd”.

SOTB-tekniken (Silicon On Thin Buried Oxide) presenterades förra året och kan användas för alla typer av energisnåla digitala konstruktioner. Först ut var enkapseldatorn Renesas R7F0E, men tekniken blir förstås ännu intressantare när den också kan användas fullt ut för att sänka energiförbrukningen hos flashminnen.
Dagens lansering gäller ett 1,5 Mbyte stort flashminne i 65 nm SOTB. I stället för de normala 50 µA/MHz för ett SOTB 2T-MONOS flashminne har Renesas lyckats att komma ner i 6 µA/MHz.

Leave a Reply