Annons

ST satsar på SiC

ST Microelectronics har utvecklat en ny generation Schottkydioder, tillverkade i kiselkarbid, avsedda för att användas i switchade nätaggregat. Speciellt, menar företaget, det är viktigt i omvandlare i applikationer där solceller används och där 1 procent kan sparas i minskade förluster i själva dioden, jämfört med dioder i de omvandlare som idag är baserade på standard bipolära kiseldioder. Men, också i tillämpningar inom kraftaggregat för användningsområden inom telekom, energiförsörjning av servrar, och för motorstyrningar, menar ST att deras SiC-dioder med fördel kan användas.  Dessutom tillåter SiC-tekniken en högre maximal switchfrekvens vilket i sin tur innebär att fysiskt mindre filterkondensatorer och spolar kan väljas i konstruktionen. Även det innebär ju då att mindre energiförbrukande omvandlare kan konstrueras med stöd av dioder av kiselkarbid. Dock tar ST ut ett  relativthögt pris för sina nyutvecklade dioder. 3,9 US-dollar (8A) respektive 4,9 dito (10A) vid en order på 10 000, per diod måste väl ändå anses vara högt. Å andra sidan finns det vinster att göra om man räknar på en produkts eller systems livslängdskostnader.
– Visst har materialet Kkselkarbid varit förknappad med problem. Men vi har lyckats att få till samma utbyte (yield) i produktionen som för  vanliga Scottky kiseldioder säger Ricardo De-Sa Earp, General manager, ASD och Discrete division. Vi tror på en tillväxt på 20 procent per år framöver för "high-end" switchade nätaggregat.

Comments are closed.