Annons

Nytt EU-projekt för krafthalvledare

Projektet LAST POWER (Large Area silicon carbide Substrates and heTeroepitaxial GaN for POWER device applications) ska placera Europa i en tätposition för nya teknologier inom området krafthalvledare. Från Sverige deltar Acreo, SenSiC och SEPT Technologies.

Målet för det här 42 månader långa Eniac-projektet (European Nanoelectronics Initiative Advisory Council) är att förse Europa med ett strategiskt oberoende inom området halvledare med brett bandgap. Det här området bedöms vara av mycket stor strategisk betydelse då det inbegriper utveckling av mycket energieffektiva system för alla typer av tillämpningar som behöver kraftförsörjning.

Det multinationella/multidisciplinära konsortiet kommer att utveckla europeisk teknik för hela försörjningskedjan av halvledarkretsar i kiselkarbid (SiC) och heteroepitaxiell galliumnitrid på kiselwafers (GaN). De här två halvledarmaterialen ger möjligheter till förbättringar avseende högre hastighet, strömkapacitet, genombrottsspänning och termiska egenskaper jämfört med konventionella kiselteknologier.

– Marknaden för krafthalvledare, som representerar runt 30 procent av hela halvledarmarknaden, kommer att kraftigt förändras som svar på det alltmer ökande kravet på energieffektiva utrustningar, säger projektkoordinator Salvatore Coffa, Grupp v.p. och FoU-General Manager, Industrial and Multisegment Sector, vid STMicroelectronics.

De övergripande avsikterna med projektet är att utveckla en energieffektiv och tillförlitlig integration av avancerade SiC och GaN-halvledare inom den europeiska kraftelektronikindustrin. Det kommer att uppnås genom fem specifika mål;
Att växa SiC och högkvalitativ heteroepitaxiell GaN på 150 mm kiselwafers, bortom nuvarande global ”state-of-the-art” avseende substrat, epitaxi och ytpreparering.

* Utveckling av nya specialutrustningar för att växa material, karaktärisering och bearbetning.
* Bearbetning av tillförlitliga och effektiva SiC- och GaN-kretsar på 150 mm wafers.
* Att demonstrera högeffektiva kretsar med egenskaper som inte kan uppnås på kisel, inklusive 1200 V/100 A SiC MOSFET, SiC JFET kapabla att fungera upp till 250°C, och GaN HEMT-kretsar för effektswitchning.
* Att utveckla avancerade kapslingar för högtemperatur-kretsar och förbättra tillförlitligheten.

Deltagare i konsortiet LAST POWER är:
STMicroelectronics S.r.l. (Italien) – project coordinator
LPE S.p.A. (Italien)
Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (Italien)
Epitaxial Technology Center S.r.l. (Italien)
Foundation for Research & Technology-Hellas (Grekland)
NOVASiC S.A. (Frankrike)
Consorzio Catania Ricerche (Italien)
Institute of High Pressure Physics UNIPRESS (Polen)
Università della Calabria (Italien)
SiCrystal AG (tyskland)
SEPS Technologies AB (Sverige)
SenSiC AB (Sverige)
Acreo AB (Sverige)
Aristotle University of Thessaloniki (Grekland)

Comments are closed.