Annons

Nytt effektsteg med GaN-FET:ar

Texas Instruments (TI) har nu lanserar vad företaget hävdar är branschens första 80 V, 10 A effektstegs-prototyp som består av ett högfrekvent drivsteg och två GaN-FET:ar konfigurerade i en halv brygga, som levereras i en 8×6 mm QFN-kapsling.

Det nya LMG5200 GaN FET effektsteget kommer enligt TI att hjälpa till att snabbare få ut nästa generations GaN-baserade kraftkonverteringslösningar på marknaden för industri- och telekom-applikationer. Effektsteg med GaN-teknik ger en ökad effekttäthet och effektivitet på ett begränsat utrymme avsett för industri- och telekomapplikationer.

Effektsteget har enligt TI:s specifikation 25 procents lägre effektförluster jämfört med kiselbaserade konstruktioner vilket möjliggör konvertering i ett steg. TI:s konstruktion har också en låg, parasiterande induktans viket är kritiskt för gate-drive-slingan som ökar effektstegets effektivitet och förbättrar dV/dt-immunitet och samtidigt minskar elektromagnetisk interferens, EMI.

Prototypexemplar av GaN-effektsteget finns att köpa nu i TI Store. LMG5200 är prissatt till 50 dollar vardera med en maximal gräns på 10 enheter. En LMG5200 utvärderingsmodul (EVM) finns också tillgängligt för 299 dollar.

Tekniska data kan läsas på den här länken.

Comments are closed.