Annons

Fem gånger snabbare NANDFlash

Intel Corporation och  Micron Technology Inc har med ett tekniskt genombrott åstadkommit fem gånger snabbare NAND Flash jämfört med dagens teknik Bolagen har samarbetat i utveckling av minnet som skall tillverkas i det samägda NAND Flash-bolaget IM Flash Tecnologies (IMFT). Snabbheten kommer främst till användning för video, foto och databearbetning.

Minnet kan nå 200 megabyte/s (Mbs) i läsmod och100Mbs i skrivmod. Resultat fås genom att nyttja den nya ONFI 2.0 (OpenNAND Flash Interface) specifikationen och en fyrplanig arkitektur med högre klockfrekvens. Dagens konventionella ennivå-celler är begränsade till 40Mbs för läs-och 20Mbs för skrivmod.

Micron’s VP för utveckling  Frankie Roohparvar säger att man arbetar med partners och utvecklare för att skapa eco-system för att kunna dra nytta av den snabba teknologin.

Ett exempel på möjlig användning är USB3.0 som strävar att nå 10 ggr större bandbredd än USB2.0 eller 4,8Gbs där de ny hög-hastighets NAND-flashen löser  flaskhalsen som dagens teknik har.

De snabba NAND flashen finns i prover och planeras för produktion under andra halvan 2008.

Comments are closed.