Annons

Fasskiftsminnen i tre dimensioner

Efter många års arbete har Intel och Numonyx gjort ett genombrott i utvecklingen av fasskiftsminnen (Phase Change Memory, PCM). Forskare hos de bägge företagen har demonstrerat ett 64 Mbit testchip med minneselement i tunnfilmsteknik. Tekniken tillåter stackning av minnen i flera lager.

Minnestypen har många intressanta egenskaper. Minnespositionerna är till exempel läs- och skrivbara bit- eller bytevis på samma sätt som ett RAM. Teknologin är också skalbar ner till betydligt mindre geometrier än flashminnen.
– Här finns en grundläggande skillnad, säger Al Fazio från Intel. Flashminnen lagrar laddning och vi närmar oss gränsen där alltför få elektroner lagras i varje minneselement. Det är svårt att se flashminnet klara geometrier under 20 nm.
– Fasskiftsminnen arbetar i stället med fysiska tillstånd i material. Så vitt vi kan se bör det gå att krympa geometrierna ner till åtminstone 5 nm och troligen ännu längre.
Al Fazio är noga med att påpeka att det fortfarande är långt till en eventuell volymproduktion. Fortfarande handlar det om forskning, men testchipet visar att tekniken fungerar och fungerar bra.
– Att kombinera material är alltid svårt, men de två organiska material som används ovanpå kiselsubstratet är av ungefär samma typ och fungerar bra tillsammans. Det innebär att stackningen blir relativt enkel. Begränsningen sätts av processtekniken, snarare än materialen och vi ser ekonomiska fördelar med åtminstone fyra lager av minneselement.
Fasskiftsminnet består alltså av ett kiselsubstrat kombinerat med omväxlande minneslager och kontaktlager i tunnfilmsteknik. Minnet är ickeflyktigt och kan på sikt tänkas ersätta flera olika minnestyper, från flashminnen till DRAM och hårddiskar.
Intel och Numonyx kommer gemensamt att lägga fram rapporten "A Stackable Cross Point Phase Change Memory" på  IEDM-konferensen i Baltimore den 9 december. Presentationen görs av DerChang Kau, Intel senior principal engineer.

Comments are closed.