Annons

DDR4-moduler i 3D-teknik

Samsung startar nu massproduktion av 64 Gbyte DDR4-moduler med 3D-stackade minneschip. Modulerna använder TSV-teknik (through silicon via) och består av 36 enheter med vardera fyra stackade 4 Gbit-chip.


TSV-tekniken (th) ger betydligt bättre prestanda än "vanliga" trådbondade stackade chip

Chipen är tillverkade i 20 nm-teknik och slipas till en tjocklek av bara några tiotal mikrometer. De stackas sedan vertikalt och ansluts med hjälp av genomgående viahål. Resultatet är en mycket kompakt konstruktion med hög överföringshastighet och låg energiförbrukning. Enligt Samsung är modulerna dubbelt så snabba och har bara halva energiförbrukningen jämfört med vanliga trådbondade moduler.
I framtiden räknar Samsung med att kunna stacka mer än fyra chip och på det sättet öka packningstätheten ytterligare.


Varje DDR4-modul innehåller 36 "chip" med vardera fyra stackade 4 Gbit-chip

Comments are closed.