Annons

Skalbara HBT i GaAs och CMOS i GaN på Si för mm-vågor

Imec har demonstrerat komponenter av GaAs-baserade heterojunction bipolar transistor (HBT) på 300 mm Si och CMOS-kompatibla GaN- baserade enheter på 200 mm Si för mm-våg-applikationer. Resultaten hur både III-V-på-Si och GaN-på-Si som CMOS-kompatibel teknik kan möjliggöra RF-frontmoduler för millimetervågor.  

Brett bandgap tar marknadsandelar

Kiselkarbid, SiC, tar på sikt över allt mer av marknaden för effekthalvledare i kisel. Marknaden för galliumnitrid börjar växa från en låg nivå. På konferensen SCAPE 2019 gav Yole Devéloppement marknadsprognoser. SiC, GaN och Si överlappar varandra i vissa områden: I tillämpningar med måttliga effekter och switchfrekvenser kring 10 kHz konkurrerar teknikerna.

Optoprob styr mushjärna

Optogenetik är en teknik som används för att studera nervceller genom att interagera med dem. Det sker med hjälp av synligt ljus för att stimulera dess ingående proteiner.

Lågläckande RF-transistor

Ett team (Daisuke Matsubayashi et al) från japanska Semiconductor Energy Laboratory Co beskrev på IEDM hur de hade åstadkommit en MOSFET med den otroligt låga läckströmmen <0,1 pA.

Nanoelektronik i vakuum

Vakuumelektronik kan låta som antik historia. Men ett forskarlag från MIT berättade på IEDM om en modern variant som bådar gott för framtiden.

RF CMOS på flexibla substrat

På IEDM presenterade en fransk forskargrupp hur man kunde överföra mycket tunna RF CMOS-chip till ett flexibelt substrat för att kunna åstadkomma böjbara högfrekvenskretsar.

Ny NAND-arkitektur

På den årliga forskarkonferensen  IEDM beskrev Macronix forskare en alternativ NAND-arkitektur som löser de problem som är förknippade med tredimensionella vertikala kanalstrukturer där gaten omger FETens kanal.

Nya NAND-arkitektur

På den årliga forskarkonferensen  IEDM beskrev Macronix forskare en alternativ NAND-arkitektur som löser de problem som är förknippade med tredimensionella vertikala kanalstrukturer där gaten omger FETens kanal.

Laser på CMOS

På forskarkonferensen IEDM 2015 beskrev en tysk forskargrupp hur man kan integrera en laser i en CMOS-proces. Det är en germanium-tenn-laser som ligger på en isolerad (germaniumbuffert) ö på kiselsubstratet.

Tid för galliumnitrid

Oavsett om det är hemelektronikprodukter, telekommunikationshårdvara, elbilar eller hushållsapparater ställs det nu höga krav på ingenjörer att förbättra omvandlarnas verkningsgrad, höja effekttätheten, förlänga batterilivslängden och snabba upp switchfrekvensen. Det bäddar för Galliumnitrid, anser Tim Kaske från ON Semiconductor.