Resistiva minnen för enkapseldatorer

Panasonic levererar nu enkapseldatorer med inbyggda icke-volatila resistiva RAM-minnen (ReRAM). Minnestekniken ger fem gånger snabbare skrivtider än flashminnen och kräver inga radercykler.

 

Panasonics åttabits enkapseldator MN101L har totalt 64 kbyte ReRAM. 62 kbyte används som programminne och 2 kbyte används som dataminne. Programminnet fungerar ungefär som ett flashminne, medan dataminnet fungerar ungefär som ett EEPROM. Skrivspänningen för de bägge minnesareorna är endast 1,8 V. Programminnesarean klarar ca 1000 omskrivningar, medan dataminnesarean är konstruerad att klara 100 000 cykler. I bägge fallen klarar minnesareorna att behålla minnet i minst tio år.
Panasonics resistiva minnen använder en cellstruktur där 1 eller 0 baseras på resistansen hos en tunnfilms metalloxid (tantaloxid) som ligger mellan två elektroder. Minnescellens tillstånd skiftas till 1 med hjälp av en pulsad negativ spänning till den övre elektroden. Det får syrejoner att migrera till tantaloxiden, resistansen minskar och cellen blir ledande. På motsvarande sätt får en pulsad positiv spänning till den övre elektroden syrejoner att migrera bort från cellen, resistansen ökar och cellen blir icke-ledande. Den enkla strukturen ger mycket låg energiförbrukning och snabba skrivtider.
Processorkärnan i enkapseldatorn är enkel, med en trestegs pipeline. Processorn har en multiplikator (16×16), ett divisionssteg (32/16), realtidsklocka, ADC och en LCD-styrenhet.
Komponenter och utvärderingskort finns tillgängliga från Mouser Electronics.

Comments are closed.