NXP lägger till GaN-lösningar till sin LDMOS-teknik inom tillämpningar för högeffektiva RF effektförstärkare.

NXP:s GaN-lansering inkluderar en 50 W bredbandsförstärkare döpt till CLF1G0530-50 som täcker frekvensområdet 500 – 3 000 MHz, 2,1 och 2,7 GHz Doherty effektförstärkare för basstationer och en 100 W-förstärkare döpt till CLF1G2535-100 som täcker 2,5 – 3,5 GHz. NXP har utvecklat sin högfrekvens-, högeffekts- GaN-processteknik i samarbete med United Monolitic Semiconductor och Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics.

NXP uppger sig nu vara unikt positionerad som det största halvledarföretaget som erbjuder lösningar i både LDMOS och GaN. Provexemplar av NXP:s första GaN effektförstärkare finns tillgängliga redan nu.

NXP:s GaN-kretsar tillverkas på ett SiC-substrat vilket uppges ge förbättrade radiofrekventa och termiska prestanda. Med produkterna vänder man sig till slutanvändare inom många områden, såsom mobiltelekommunikation, bredbandsförstärkare, ISM, PMR, radar, avionik, RF-belysning, medicinteknik, CATV och digitala sändare för mobiltele- och radioutsändningar. Med sin höga effektdensitet har GaN potentialen att expandera in på områden såsom tillämpningar inom högeffektsutsändningar (broadcasting) där solid-state effektförstärkare, byggda med vakuumrör, fortfarande är normen. 

Medan de flesta effektförstärkarna för basstationer idag är begränsade till specifika tillämpningar menar NXP att dess nya GaN-processteknik stödjer en utveckling (roadmap) mot ”universella sändare” som kan användas för multipla system och frekvenser vilket förenklar produktion och logistik samt ger operatörer möjlighet att växla mellan frekvensband för att omedelbart möta krav på basstationernas täckningsområde.

NXP:s GaN bredbandiga effektförstärkare förväntas finnas i massproduktion under slutet av 2011.

Filed under: Utländsk Teknik