Nu producerar Infineon millimetervågskretsar

BGTx0 är beteckningen på det chip-set som Infineon har utvecklat för millimetervågsbanden 57-64 GHz, 71-76 GHz eller 81-86 GHz. Framför allt är de tänkta att använda i bakomliggande nät, ”backhaul”, för LTE/4G basstationer.

Den första kunden, Sub10 Systems, håller nu på att kvalificera BGT70 och BGT80, transceiverkretsar för E-bandet, i ett FDD-system (Frequency Division Multiplex).
Målet är att kunna stödja datahastigheter över 1 Gbit/s på ca 2,5 km länkavstånd.
En transceiverkrets ersätter fler än 10 diskreta komponenter och drar dessutom låg effekt.
Infrastrukturen skiljer för olika generationers mobilsystem. Dagens länkar arbetar på mikrovågor, under 43 GHz. Framtida standarder, senast LTE/4G, kräver högre datahastigheter, och publika standardiseringsorgan har definierat kommunikation på millimetervågor, på band V och E.
Nätverksoperatörerna väntas under de kommande åren investera stort i strukturer med små celler för att kunna ge mobilanvändarna snabb Internetkommunikation i heltäckande nät.
Provkvantiter av BGTx0 finns redan ute och volymproduktion planeras vara igång till våren 2014.

 

Comments are closed.