MONOS-flashminne klarar 100 miljoner cykler

Renesas utvecklar ett MONOS-flashminne med en transistor som skall produceras i 90 nm CMOS. Minnestekniken kan användas i flera olika processer och klarar mer än 100 miljoner programmeringscykler och kan dessutom arbeta vid mycket hög temperatur.

Minnestekniken är speciellt intressant för fordonstillämpningar, där temperaturerna kan bli höga och där det ofta ställs krav på låg energiförbrukning och många programmeringscykler. Minnescellerna skall klara 100 miljoner cykler vid en temperatur på 175 °C och behöver bara 0.07 mJ/8 kbyte.
Med den nya tekniken har Renesas tillverkat minnesprototyper i 90 nm CMOS med 128 kbyte flashminne, 100 miljoner cykler och en skrivström på 98 µA. Strömmen är två storleksordningar mindre än vad som tidigare varit möjligt med flashminnen.

Comments are closed.