Posted on december 1st, 2014 by Gunnar Lilliesköld
Från Freescale kommer nyheten om en RF-effekttransistor i GaN på SiC-substrat som ger 100 W kontinuerlig uteffekt (CW) över frekvensområdet 200 till 2500 MHz och upp till 125 W uteffekt.
Filed under: Utländsk Teknik | Kommentarer inaktiverade för Rekordbandbredd i tålig GaN på SiC
Posted on december 1st, 2014 by Gunnar Lilliesköld
Raytheon i Glenrothes, Skottland, har av en ledande fordonstillverkare utsetts att utveckla en MOSFET i kiselkarbid, SiC. Den kommer att användas i elbilar, hybridbilar och laddhybrider.
Filed under: Utländsk Teknik | Kommentarer inaktiverade för SiC MOSFET för bilmarknaden från Raytheon
Posted on december 1st, 2014 by Göte Fagerfjäll
När Luleå tekniska universitet presenterade en stor satsning på rymdforskning och utbildning fanns representanter för svensk rymdindustri på plats. Det var kick-off för universitetets rymdforskarskola, som förutom hög utbildningskvalitet, också skall ge bränsle till den svenska rymdindustrin. En av två nya professorer vid Luleå tekniska universitet, Javier Martin-Torres, hämtar data från farkosten Curiosity på planeten […]
Filed under: SvenskTeknik | Kommentarer inaktiverade för Rymdforskning och rymdindustri i symbios