Rekordbandbredd i tålig GaN på SiC

Från Freescale kommer nyheten om en RF-effekttransistor i GaN på SiC-substrat som ger 100 W kontinuerlig uteffekt (CW) över frekvensområdet 200 till 2500 MHz och upp till 125 W uteffekt.

SiC MOSFET för bilmarknaden från Raytheon

Raytheon i Glenrothes, Skottland, har av en ledande fordonstillverkare utsetts att utveckla en MOSFET i kiselkarbid, SiC.  Den kommer att användas i elbilar, hybridbilar och laddhybrider.

Rymdforskning och rymdindustri i symbios

När Luleå tekniska universitet presenterade en stor satsning på rymdforskning och utbildning fanns representanter för svensk rymdindustri på plats. Det var kick-off för universitetets rymdforskarskola, som förutom hög utbildningskvalitet, också skall ge bränsle till den svenska rymdindustrin. En av två nya professorer vid Luleå tekniska universitet, Javier Martin-Torres, hämtar data från farkosten Curiosity på planeten […]