Säkra elbilar i fokus

I ett nystartat forskningsprojekt, som finansieras av EU-kommissionen, kommer forskare att fokusera på frågor kring säkerhet för elbilar. VTI koordinerar projektet och målsättningen är att genom olika studier kring aktiv och passiv säkerhet arbeta fram rekommenderade säkerhetskrav för framtidens elbilar.

Spänningsskydd för flyg- och försvarstillämpningar

Det finns många olika  definitioner av spikar och stötar och en mängd olika skyddskrav. Steve Munns från Linear Technology Corporation gör här  en genomgång av de viktigaste kraven och hur man kan skydda flyg- och försvarstillämpningar.

Så konstruerade vi Ungerns första mikrosatellit

I februari sköts Ungerns första mikrosatellit upp i omloppsbana. Gabor Marosy, doktorand hos Budapest University of Technology and Economics, berättar här om utvecklingsarbetet och vilka verktyg som användes.

Högintegrerad enkapseldator förenklar konstruktörens arbete

Enkapseldatorer baserade på ARM Cortex-kärnor blir allt vanligare. Shahram Tadayon, marknadschef för MCU-produkter, Silicon Laboratories Inc, tittar här på vilka skillnader som kan finnas i I/O-funktioner och hur de kan förenkla konstruktörens arbete.

Stadig tillväxt väntas för SiC och GaN

Philippe Roussele, från Yole Développement presenterade under ISiCPEAW några intressanta siffror från institutets senaste marknadsundersökning för effekthalvledare med brett bandgap. Bland annat framgick att denna marknad årligen väntas öka kring 7-9 procent under åren 2013 till 2020.

Minimera effektförbrukningen med SiC-moduler

Nu finns det på marknaden moduler, byggda med kiselkarbidkomponenter, som kan ersätta exempelvis IGBTer och ge lägre förluster och högre möjliga switchfrekvenser. Masanori Tanimura, Product Marketing ROHM Semiconductor GmbH, beskriver ger här en bakgrund till en ny modul som produceras i volymer.

Konkurrenter inom brett bandgap – GaN eller SiC?

Under en paneldebatt på kiselkarbidkonferensen ISICPEAW, International SiC Power Electronics Applications Workshop, möttes förespråkare för halvledarkomponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN. Philippe Rouselle från Yole Développement ledde debatten där Paul Kiersted, Cree, Uwe Jansen, Infineon och Hans-Joachim Würfl, Ferdinand Braun Institute deltog.

Switcha effektivare med kiselkarbid

Efter 10 år av framgångsrik produktion av SiC-dioder anser vi att SiC-tekniken är så mogen att vi kan presentera vår första SiC-switch, skriver Wolfgang Bergner, Fanny Björk, Daniel Kupoler och Gerald Deboy vid Infineon Technologies.I deras artikel framgår motiveringen till att man valde att satsa på en i normalläget ledande (normally on) JFET i stället […]

Nytt program för teknik att kyla elektronik

Ett nytt DARPA-program ska syfta till tekniker för att kyla chips i militär elektronik med kylvätska genom inbyggda kanaler direkt i substratet, chipet och/eller kapslingen.  

Nokia lägger ner i Salo

Nokia  minskar sin personal med 3 700  anställda. Bland annat läggs fabriken i Salo ner helt. Fram till slutet av 2013 skall upp till 10 000 tjänster bort globalt.