Annons

130 nm SiGe BiCMOS från XFAB

Kiselsmedjan XFAB Silicon Foundries ökar samarbetet med Leibniz Institute for High Performance Microelectronics (IHP). Bland annat kommer XFAB att licensiera SiGe-tekniken från IHP.

Den nya 130 nm SiGe-plattformen är förmodligen den mest intressanta. Teknologin används till exempel för WiFi 6-accesspunkter, infrastruktur för 5G och kommunikation mellan fordon (V2V). Teknologin är också viktig för radarsystem i frekvenser över 100 GHz. Där finns många tillämpningar både för fordon och konsumentprodukter.

Licensavtalet följer det samarbete som startade 2021, där XFABs kopparteknologi adderades till IHPs processer SG13S och SG13G2 för att förbättra bandbredden. Prototypprojekt med de här processerna startar under Q4 i år och ett tidigt designkit finns redan tillgängligt. Volymproduktionen kommer att ske vid XFAB France, företagets fabrik nära Paris.

Comments are closed.