Annons

SONOS ger billigare inbyggd flash

Cypress Semiconductor och kinesiska kiselsmedjan HLMC har demonstrerat fungerande inbyggda SONOS-flashceller på 55 nm-nivån. Tekniken kräver bara tre extra masker vid produktionen, jämfört med minst nio extra masker för traditionellt inbyggt flashminne.

SONOS-cellerna (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) har utvecklats av Cypress och HLMC säger sig kunna producera komponenter med 55 nm SONOS-celler i volym under andra halvan av 2015.
Tekniken gör det möjligt att addera inbyggt flashminne till en konstruktion utan att behöva ändra den digitala delen av konstruktionen. I första hand är tekniken avsedd för IoT-konstruktioner, där låg produktionskostnad är extra viktigt.
– SONOS är en kostnadseffektiv process med högt produktionsutbyte, säger Jack Qi Shu, vd för HLMC. Den passar utmärkt för högvolymtillämpningar som IoT eller Smart Card.
Nästa steg blir att ta SONOS-tekniken till 40- och 28 nm-nivåerna.

Comments are closed.