Annons

Samsung visar vägen till 4 nm

Samsung berättar nu om sina kommande halvledarprocesser, från 8 nm ner till 4 nm. Företaget satsar också på en vidareutveckling av FD-SOI-processen till 18 nm.

05sams05

– Genombrottet för smarta kommunicerande apparater och avancerad konsumentelektronik signalerar början på nästa industriella revolution, säger Jong Shik Yoon, Executive Vice President för Samsung Electronics Foundry Business. För att kunna konkurrera på de här marknaderna krävs en partner som klarar de kommande årens mest avancerade processer.
Några av de nya processerna på Samsungs karta är:

8LPP (8nm Low Power Plus): 8LPP blir det största steget innan det är dags att skifta till EUV-litografi (Extreme Ultra Violet). 8LPP är en vidareutveckling av 10LPP.

7LPP (7nm Low Power Plus): 7LPP blir Samsungs första halvledarprocess som använder EUV-litografi. Tillsammans med ASML har företaget tagit fram en EUV-källa med upp till 250 W effekt. EUV-litografi gör det möjligt att fortsätta att krympa tillverkningsgeometrierna.

6LPP (6nm Low Power Plus): 6LPP kombinerar Samsungs  Smart Scaling solutions mede EUV-litografi för att nå ännu högre packningstäthet och lägre energiförbrukning.

5LPP (5nm Low Power Plus): 5LPP tar de fysiska begränsningarna hos FinFET-structure ytterligare ett steg genom att använda en del av innovationerna från nästa processgeneration (4LPP).

4LPP (4nm Low Power Plus): 4LPP blir första implementeringen av nästa arkitekturgeneration, MBCFETTM (Multi Bridge Channel FET). MBCFETTM is Samsungs unika GAAFET-teknologi (Gate All Around FET) för att komma förbi skalnings- och prestandabegränsningarna hos FinFET-arkitekturen.

FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator): Samsung kommer dessutom att expandera sin 28FDS-plattform till att klara RF och eMRAM. Nästa FD-SOI-nod är 18FDS, med bättre integration och prestanda och lägre energiförbrukning.

Comments are closed.