Annons

Samsung utvecklar 4 Gbit DRAM

Samsung har tagit fram ett 4 Gbit DDR3-chip i sin 50 nm-process. Det är världens hittills största DRAM och dessutom ett minne med 40 procent lägre energiförbrukning per Gbit än nuvarande generation.

Minneschipet kommer framför allt att användas i 16 Gbyte RDIMM-minnesmoduler, 8 Gbyte UDIMM-moduler och 8 Gbyte SODIMM-moduler för laptopdatorer. Med dubbelsidig montering går det också att tillverka moduler upp till 32 Gbyte.
Minneschipen arbetar med en matningsspänning på 1,35 V och klarar att överföra data med 1,6 Gbit/s (20 procent mer än dagens minnen).
Analysföretaget International Data Corporation (IDC), uppskattar att DDR3-minnen kommer att ta ca 29 procent av DRAM-marknaden 2009 och 75 procent år 2011. Minneschip på 2 Gbit och mer står för tre procent av DRAM-marknaden 2009 och 33 procent år 2011.

Comments are closed.