Annons

Rekordbandbredd i tålig GaN på SiC

Från Freescale kommer nyheten om en RF-effekttransistor i GaN på SiC-substrat som ger 100 W kontinuerlig uteffekt (CW) över frekvensområdet 200 till 2500 MHz och upp till 125 W uteffekt.

Den nya transistorn MMRF5014H passar särskilt väl in i utrustning för vetenskapliga experiment och i militär kommunikationsutrustning för den amerikanska försvarssektorn, t ex störsändare, radartillämpningar och elektroniska motmedel.
Transistorn ger 12 dB förstärkning över 200 till 2500 MHz.
Tack vare att transistorn är byggd på ett substrat av kiselkarbid har den en termisk resistans av 1°C och den klarar av att hantera ett ståendevågförhållande på 20:1.
Denna nya GaN-komponent är den första i sitt slag från Freescale som med sin kombination av format, vikt och effekt passar för försvarsindustrin och för andra marknader.
– Typiskt behöver radiosystem flera RF-förstärkare för att täcka ett stort spektrum, men med MMRF5014H behövs det bara en, säger Paul Hart, senior vice president och general manager för Freescales RF-grupp.
MMRF5014H ingår i Freescales program för komponenter med lång livslängd.

 

Comments are closed.