Annons

Ramtron får patent på F-RAM minnescell

Den amerikanska halvledartillverkaren Ramtron International Corporation har fått sitt patent godkänt via en ansökan benämnd "Method for Reading Non-volatile Ferroelectric Capacitor Memory Cell".

– Vi är mycket nöjda med att ha säkrat 17 års grundläggande skydd för vår "one-transistor/one-capacitor (1T/1C)" F-RAM-minnescell. För närvarande utvärderar vi vilken påverkan som den här nya utvidgningen av vår IP-portfölj kan ha på andra som använder kretsar som kan göra intrång på inmutningarna i det här patentet, säger Bill Staunton, Ramtron’s CEO.

Det nya patentet täcker metoder för att läsa och återställa en 1T/1C F-RAM minesscell. I patentet ingår grundläggande teknologi för så kallade word line, bit line och en drive line samt en accesstransistor och en ferroelektrisk kondensator som har två olika polariseringstillstånd, enligt ett pressmeddelande.

Comments are closed.