Annons

Ny generation av 8 Gbit DRAM

Samsung har nu fått igång massproduktionen av sina nya DDR4-DRAM i 10 nm-klassen. Komponenterna är snabbare (3 600 Mbit/s), och kräver fortfarande inga EUV-processteg.

12samsung04

– Vi har lyckats bryta igenom en viktig barriär för DRAM-skalbarhet, säger Gyoyoung Jin, president för Memory Business hos Samsung Electronics. Det gör att vi kan rampa upp produktionen ordentligt av minnen i 10 nm-klassen.
Enligt Samsung har de nya 8 Gbit minneskomponenterna ca 30 procent bättre produktionsutbyte än första generationen. De är också snabbare och kräver mindre energi. Förbättringen ligger mellan 10 och 15 procent på bägge parametrarna.
10 nm-klassen innebär att tillverkningsprocessen ligger mellan 10 och 19 nm.

Comments are closed.