Enligt statistik som presenteras i rapport ”Semiconductor Wafer – Fab Capacity and Utilisation” från Sicas, Semiconductor International Capacity Statistics, ökade den globala utnyttjandegraden i fab mellan kvartal 1 (55,6%) och kvartal 2 (76,7%) i år.

Det är ett tydligt trendbrott men ändå är det en bit kvar till den runt 90-procentiga utnyttjandegraden som upprätthölls under 2007 och fram till Q3 2008. Kapacitetsutnyttjandet sjönk från 87,1 procent Q3 2008 till 68,3 procent Q4 och bottnade i 56,8 procent första kvartalet i år.
När nu kapacitetsutnyttjandet ökar är det de avancerade processerna som ökar mest. För processer under 0,08 µm ökade utnyttjandegraden till 90 procent för Q2. För Q1 var motsvarande siffra 70 procent.

För processer mellan 0,12 µm och 0,08 µm ökade kapacitetsutnyttjandet från 68,4 procent Q1 till 74,6 procent Q2 och för processer mellan 0,12 µm och 0,16 µm ökade utnyttjandegraden från 44,6 procent för Q1 och 74 procent för Q2.

För processer mellan 0,16 och 0,20 µm var utnyttjandegraden 65 procent Q2, en uppgång från 39 procent Q1 och för processer mellan 0,2 och 0,3 µm var utnyttjandegraden 71 procent Q2, en uppgång från 47,8 procent Q1

 Utnyttjandegraden i fab för diskreta halvledare ökade från 42,6 till 65,1 procent medan IC gick upp från 55,6 till 76,7 procent mellan de båda kvartalen. Produktionen anges i antalet startade wafers per vecka. Enligt Sicas statistik ökade den totala produktionen från runt 1,2 miljoner/vecka Q1 till 1,6 miljoner/vecka Q2.

På årsbasis visar Q1 2009 en utnyttjandegrad på -42,6 procent jämfört med Q1 2008 medan motsvarande jämförelse mellan Q2 2008 och Q2 i år är -24,4 procent.

 För 300 mm waferproduktion var kapacitetsutnyttjandet 91,9 procent Q2, en uppgång från 72,8 procent Q1. Motsvarande siffra för 200 mm wafers var 72,3 procent Q2 upp från 44 procent Q1. För mindre wafers var utnyttjandegraden 38,9 procent Q2, en liten uppgång från Q1:s 33,4 procent.

Filed under: Utländsk Teknik