På Technology and Manufacturing Day i Beijing visade Intel prestandauppdateringar för sin nya 10 nm-process, planerna för 10 nm FPGA-kretsar och industrins första 3D NAND-minnen med 64 lager för datacenter. Dessutom visade man en testwafer med ARM-processorer.

Mark Bohr, Intel Senior Fellow

De nya NAND-minnena finns faktiskt redan för leverans i provkvantiteter. Det handlar om flashkomponenter i TLC-teknik (tre bit per cell) och 64 lager, som används i företagets SSD-minnen för datacenter. Utvecklingen har gått snabbt från den första produkten som introducerades i juni.
Men framför allt handlade det ändå om nya processer för procesorer och FPGA-komponenter.
– Våra halvledarprocesser fortsätter att utvecklas i takt med Moores Lag, säger Stacy Smith, group president of Manufacturing, Operations and Sales. Vi är glada över att för första gången i Kina kunna visa vår teknologikarta som visar hur vi klarar utmaningarna.
Enligt Mark Bohr, Intel Senior Fellow, är Intels 10 nm-process en hel generation bättre än konkurrenternas processer vad gäller geometrier för både transistorer och metalledare. Intels hyper scaling-teknik har gjort det möjligt att minska storleken på en logiktransistor med en faktor 2,7, både i 14 nm- och 10 nm-processerna. Bohr har föreslagit ett nytt sätt att kategorisera processnoder utifrån transistordensitet, snarare än processgeometri.
Bohr visade också effekt- och prestandadata för företagets nya lågeffektsprocess 22FFL, en FinFET-process som presenterades för första gången i våras. Processen visar extremt låg energiförbrukning också vid frekvenser över 2 GHz och en minskning av läckströmmarna med hela 100x. I Beijing visades en 22FFL-wafer offentligt för första gången.
Den nya 10 nm-processen är basen både för FPGA- och foundry-verksamheten. Dessutom offentliggjorde Intel redan i augusti ett avtal med ARM som snabbar upp utveckling och implementering av ARM-processorer på Intels 10 nm-process. Första resultatet visades i Beijing i form av en testwafer med ARM Cortex-A75-processorer. Processorkärnorna klarar hastigheter över 3 GHz.

Filed under: Utländsk Teknik