Dubbelsidig kylning av MOSFET

Toshiba introducerar en ny kapseltyp med dubbelsidig kylning för sina lågspännings MOSFET-komponenter. DSOP Advance-kapslarna sänker drifttemperaturen med mer än 30 procent.

 

Till att börja med kommer MOSFET-familjerna UMOS VIII-H och UMOS IX-H att finnas också med de nya kapslarna. Det handlar alltså om transistorer för spänningar mellan 30 och 100 V. De nya kapslarna har samma storlek (5 x 6 mm) som de vanliga SOP-kapslarna.
I tester av 30 V MOSFET-transistorer med passande kylfläns sjönk drifttemperaturen med drygt 34 procent vid strömmar över 30 A. I vissa fall kan också den lägre termiska resistansen hos de nya kapslarna göra att transistorerna klarar sig utan kylfläns.

Comments are closed.