Annons

Flashminne med 96 lager

Från Toshiba kommer en prototyp på ett 96-lagers BiCS FLASH-minne med tre bit per cell. Provkvantiteter av 32 Gbyte-minnet skall finnas under hösten och volymproduktionen startar under 2018.

06tosh06

Minnestekniken är i första hand avsedd för SSD-minnen, smarta telefoner, handdatorer och minneskort.
I nästa steg kommer 96-lagers-tekniken att användas för komponenter med högre kapacitet (64 Gbyte). Då går man också vidare till fyra bit per cell.
96-lager-tekniken ger ca 40 procent högre packningstäthet jämfört med dagens 64 lager. Processen minskar dessutom kostnaden per bit och medför bättre producerbarhet.
De nya komponenterna kommer att produceras i Yokkaichi-anläggningen i Fab 5, den nya Fab 2, och den kommande Fab 6 (öppnas sommaren 2018).

Comments are closed.