DRAM-utvecklingen går mot sitt slut

DRAM (dynamic random access memory), kan snart inte krympas mer. Andra teknologier står på tur att ta över rollen som det viktigaste halvledarminne.


I processnoder under 22 nm går det inte längre att åstadkomma en stabil funktion hos DRAM. Minnescellens laddningskondensator blir alltför liten och därmed känslig för alfastrålning som kan generera ett omslag av tillstånd. Den kritiska tidpunkten för denna utvecklingsfas beräknas nås redan inom nästa årtionde.
Så vad kan ersätta DRAM? I forskningscentret Rossendorf i Dresden arbetar man med målsättningen att ta fram flera andra teknologier som MRAM (magnetisk RAM, Bild: Infineon), FRAM (ferromagnetiska RAM) eller RRAM (motståndsstyrda RAM).
Den tyska regeringen har inom ramarna för det IKT2020-initiativet avsatt 8,5 miljoner euro för de kommande tre åren  för att finna optimal väg.

 

 

Comments are closed.