Annons

Billigare ägandekostnad med SiC-komponenter

SiC (kiselkarbid) är ett material med brett bandgap och överlägsna egenskaper jämfört med kisel i högspänningskretsar. Ändå har det haft svårt att få bred spridning på marknaden. Erich Niklas, Future Power Solutions tittar här på kostnaden för SiC-komponenter i högspänningstillämpningar där energieffektivitet är en kritisk parameter. Kollmorgens prototyp av en SiC-inverter (Källa: Kollmorgen)

Förstärkar-/omvandlarkrets för LED-bakgrundsbelysning

Bakgrundsbelysning av displayer görs numera framför allt med LED-teknik och strömförsörjningssystemen måste driva ett stort antal lysdioder. Emir Serdarevic och Manjunatha Poojary från ams AG visar här vilka problem som finns och hur de kan bemästras.

Direkta buckomvandlare på ett enkelt sätt

Den direkta buckomvandlaren är ofta en attraktiv lösning, men det finns inte särskilt många färdiga styrenheter på marknaden. Janusz Bicki från Future Electronics (EMEA), visar här hur man i stället kan modifiera en vanlig flybackomvandlare.

99,6 procents verkningsgrad med SiC

Årets konferens iSiCpeaw pekar på en marknad som börjar bli etablerad på allvar och applikationer som kan dra nytta av lägre förluster, högre switchfrekvenser och hög temperaturtålighet, jämfört med komponenter i kisel. Framför allt tog föreläsningarna fasta på de områden där forskning visar att det finns förbättringspotentialer, t ex ifråga om parasitinduktanser.

Smartare webbverktyg snabbar upp effektkonstruktioner

Smarta konstruktionsverktyg på Internet ger tillgång till sofistikerade termiska analyser och frekvensanalyser. Tillsammans med de senaste effekthalvledarteknologierna kan det ge lösningar med mindre storlek, lägre kostnad samt högre verkningsgrad och bättre tillförlitlighet.

Marknaden för SiC växer med 38 procent per år

Trots att halvledarbranschen upplevde en nedgång 2012 fortsätter marknaden att växa enligt Yole Développement. Det visar deras senaste rapport ”SiC Market 2013: Technology and Market for SiC Wafers, Devices and Power Modules”. Den är författad av dr Philippe Roussel, Yole Développement.

Switcha effektivare med kiselkarbid

Efter 10 år av framgångsrik produktion av SiC-dioder anser vi att SiC-tekniken är så mogen att vi kan presentera vår första SiC-switch, skriver Wolfgang Bergner, Fanny Björk, Daniel Kupoler och Gerald Deboy vid Infineon Technologies.I deras artikel framgår motiveringen till att man valde att satsa på en i normalläget ledande (normally on) JFET i stället […]

Konkurrenter inom brett bandgap – GaN eller SiC?

Under en paneldebatt på kiselkarbidkonferensen ISICPEAW, International SiC Power Electronics Applications Workshop, möttes förespråkare för halvledarkomponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN. Philippe Rouselle från Yole Développement ledde debatten där Paul Kiersted, Cree, Uwe Jansen, Infineon och Hans-Joachim Würfl, Ferdinand Braun Institute deltog.

Minimera effektförbrukningen med SiC-moduler

Nu finns det på marknaden moduler, byggda med kiselkarbidkomponenter, som kan ersätta exempelvis IGBTer och ge lägre förluster och högre möjliga switchfrekvenser. Masanori Tanimura, Product Marketing ROHM Semiconductor GmbH, beskriver ger här en bakgrund till en ny modul som produceras i volymer.

Minimera effektförbrukningen med SiC-moduler

Nu finns det på marknaden moduler, byggda med kiselkarbidkomponenter, som kan ersätta exempelvis IGBTer och ge lägre förluster och högre möjliga switchfrekvenser. Masanori Tanimura, Product Marketing ROHM Semiconductor GmbH, beskriver ger här en bakgrund till en ny modul som produceras i volymer.