Konkurrenter inom brett bandgap – GaN eller SiC?
Under en paneldebatt på kiselkarbidkonferensen ISICPEAW, International SiC Power Electronics Applications Workshop, möttes förespråkare för halvledarkomponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN. Philippe Rouselle från Yole Développement ledde debatten där Paul Kiersted, Cree, Uwe Jansen, Infineon och Hans-Joachim Würfl, Ferdinand Braun Institute deltog.
Filed under: Effekthalvledare | Kommentarer inaktiverade för Konkurrenter inom brett bandgap – GaN eller SiC?





