Annons

1 200 V kiselkarbid

UnitedSiC lanserar UJ3C1200, en ny JFET-serie i kiselkarbid.

Komponenterna tål spänningar på 1200 V och har ON-resistanser på 80 och 40 milliohm. De kan användas istället för IGBT, Si-MOSFET och SiC-MOSFET direkt i existerande kretsar, vilket gör det möjligt att enkelt uppgradera dessa. Fördelarna är bättre effektivitet och värmetålighet, viktigt i bland annat laddare för eldrivna fordon, svetsaggregat och inverterare.

Comments are closed.