Annons

Miljökraven driver på utvecklingen av SiC och GaN

IEA 4E PECTA är ett program för att främja utveckling, spridning och användning av kraftelektronik baserat på bredbandgaps-material (Wide Band Gap material, WBG) så som kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN) i kraftelektronik. Anledningen är att WBG-material kan ge stora miljövinster jämfört med att använda kisel (Si). Högre verkningsgrad leder ytterst till lägre koldioxidutsläpp.

Prisutdelning på SCAPE 19

Till pristagare i årets instiftade ”WBG Power Center, annual awards” utsågs Arash Edvin Risseh och och Babak Alikhanzadeh. Priset delades ut på årets pågående konferens om halvledare med brett bandgap, SCAPE 19, med motiveringen ”For excellent contribution to science and application of wide band gap power semiconductors”.