Superlåg resistans i SiC FET-familj
Av fyra nya SiC FET har en av dem RDS (on) som är mindre än 7 mohm. Därför passar de bra för spänningsomvandlare för bilar, batteriladdare och halvledarbestyckade bromsar.
Filed under: Utländsk Teknik | Kommentarer inaktiverade för Superlåg resistans i SiC FET-familj