IEA 4E PECTA är ett program för att främja utveckling, spridning och användning av kraftelektronik baserat på bredbandgaps-material (Wide Band Gap material, WBG) så som kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN) i kraftelektronik. Anledningen är att WBG-material kan ge stora miljövinster jämfört med att använda kisel (Si). Högre verkningsgrad leder ytterst till lägre koldioxidutsläpp.

Filed under: Effekthalvledare, Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Miljökraven driver på utvecklingen av SiC och GaN

Forskningsprojektet Working on Venus, som inleddes i januari 2014, går mot sitt slut. Det övergripande resultatet är elektronik med brett bandgap (kiselkarbid, SiC) som tål att användas då man landat på Venus 460°C varma yta. Working on Venus är genomfört med stöd av Knut och Alice Wallenbergs stiftelse. Hittills har sju av projektets nio doktorander […]

Filed under: SvenskTeknik, Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Elektronik som tål Venus hetta

Kiselkarbid, SiC, tar på sikt över allt mer av marknaden för effekthalvledare i kisel. Marknaden för galliumnitrid börjar växa från en låg nivå. På konferensen SCAPE 2019 gav Yole Devéloppement marknadsprognoser. SiC, GaN och Si överlappar varandra i vissa områden: I tillämpningar med måttliga effekter och switchfrekvenser kring 10 kHz konkurrerar teknikerna.

Filed under: Halvledarteknik, Utländsk Teknik | Kommentarer inaktiverade för Brett bandgap tar marknadsandelar

Konferensen IWBGPEAW 2017 arrangeras årligen i ett samarbete mellan RISE Acreo, SiC Power Center (ett initiativ av RISE Acreo, KTH och Swerea Kimab), Yole Développement, Energimyndigheten, Enterprise Europe Network och Green power electronics. USA, Japan och Kina fortsätter att stärka sina marknadspositioner inom halvledare för brett bandgap (WBG, Wide Band Gap). I en första rapport […]

Filed under: SvenskTeknik, Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Asien och USA dominerar brett bandgap

Årets internationella forskarseminarium om effekthalvledare i brett bandgap, ISICPEAW, ger belägg för att komponenter i kiselkarbid, SiC, i många effekttillämpningar, ger stora miljövinster jämfört med kisel, Si. Tekniken är nu mogen och konkurrenskraftig. Det samma gäller komponenter i galliumnitrid, GaN.

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Si möter konkurrens från både SiC och GaN

Komponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN, ser vi nu implementerade inom en rad områden.  Särskilt inom fordonsindustrin och kraftindustrin finns en stor potential för tillväxt. Drivkrafterna är framför allt lägre förluster, kompaktare konstruktioner men i vissa fall även billigare systemkonstruktioner. Om bl a detta informerade Yole Développement under årets forskarkonferens ISICPEAW.

Filed under: Teknikartiklar | Kommentarer inaktiverade för Brett bandgap på bred front