Annons

Miljökraven driver på utvecklingen av SiC och GaN

IEA 4E PECTA är ett program för att främja utveckling, spridning och användning av kraftelektronik baserat på bredbandgaps-material (Wide Band Gap material, WBG) så som kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN) i kraftelektronik. Anledningen är att WBG-material kan ge stora miljövinster jämfört med att använda kisel (Si). Högre verkningsgrad leder ytterst till lägre koldioxidutsläpp.

Elektronik som tål Venus hetta

Forskningsprojektet Working on Venus, som inleddes i januari 2014, går mot sitt slut. Det övergripande resultatet är elektronik med brett bandgap (kiselkarbid, SiC) som tål att användas då man landat på Venus 460°C varma yta. Working on Venus är genomfört med stöd av Knut och Alice Wallenbergs stiftelse. Hittills har sju av projektets nio doktorander […]

Brett bandgap tar marknadsandelar

Kiselkarbid, SiC, tar på sikt över allt mer av marknaden för effekthalvledare i kisel. Marknaden för galliumnitrid börjar växa från en låg nivå. På konferensen SCAPE 2019 gav Yole Devéloppement marknadsprognoser. SiC, GaN och Si överlappar varandra i vissa områden: I tillämpningar med måttliga effekter och switchfrekvenser kring 10 kHz konkurrerar teknikerna.

Asien och USA dominerar brett bandgap

Konferensen IWBGPEAW 2017 arrangeras årligen i ett samarbete mellan RISE Acreo, SiC Power Center (ett initiativ av RISE Acreo, KTH och Swerea Kimab), Yole Développement, Energimyndigheten, Enterprise Europe Network och Green power electronics. USA, Japan och Kina fortsätter att stärka sina marknadspositioner inom halvledare för brett bandgap (WBG, Wide Band Gap). I en första rapport […]

Si möter konkurrens från både SiC och GaN

Årets internationella forskarseminarium om effekthalvledare i brett bandgap, ISICPEAW, ger belägg för att komponenter i kiselkarbid, SiC, i många effekttillämpningar, ger stora miljövinster jämfört med kisel, Si. Tekniken är nu mogen och konkurrenskraftig. Det samma gäller komponenter i galliumnitrid, GaN.

Brett bandgap på bred front

Komponenter i kiselkarbid, SiC, och galliumnitrid, GaN, ser vi nu implementerade inom en rad områden.  Särskilt inom fordonsindustrin och kraftindustrin finns en stor potential för tillväxt. Drivkrafterna är framför allt lägre förluster, kompaktare konstruktioner men i vissa fall även billigare systemkonstruktioner. Om bl a detta informerade Yole Développement under årets forskarkonferens ISICPEAW.